工程案例
CASE
武漢光谷信息光電子創(chuàng)新中心
國家信息光電子創(chuàng)新中心于2017年10月31日獲工信部批準(zhǔn)，落戶武漢中國光谷，致力于突破產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵共性技術(shù)瓶頸，促進成果轉(zhuǎn)化，支撐新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。武漢光谷信息光電子創(chuàng)新中心作為國家信息光電子創(chuàng)新中心的依托公司和承載主體，是由我國信息光電子領(lǐng)域具有雄厚科研實力、豐富資源優(yōu)勢、強大產(chǎn)業(yè)能力的科研院所、高校、產(chǎn)業(yè)基金等各類創(chuàng)新主體，以“公司+聯(lián)盟”形式建立的新型創(chuàng)新載體，是面向信息光電子制造業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的重大需求，突出協(xié)同創(chuàng)新取向，重點圍繞加強產(chǎn)業(yè)前沿和關(guān)鍵共性技術(shù)研發(fā)、促進技術(shù)轉(zhuǎn)移擴散和首次商業(yè)化應(yīng)用、加強制造業(yè)創(chuàng)新人才隊伍建設(shè)、提供制造業(yè)創(chuàng)新的公共服務(wù)、開展國際交流與合作等方面，充分利用現(xiàn)有創(chuàng)新資源和載體，打造協(xié)同的創(chuàng)新生態(tài)系統(tǒng)。
目前創(chuàng)新中心已擁有高端芯片技術(shù)研發(fā)平臺和集成光電研發(fā)平臺，是國內(nèi)最具產(chǎn)業(yè)化實力的InP、GaAs以及硅光等光通信光電芯片的設(shè)計和工藝平臺，在Ⅲ-Ⅴ族高端光電芯片技術(shù)和工藝、硅光集成芯片設(shè)計和測試、高速光系統(tǒng)設(shè)計和驗證等方面擁有強大的創(chuàng)新能力；組建了包括10名院士專家和17名行業(yè)專家的委員會；與28+家國內(nèi)外單位簽署共建協(xié)議，在平臺建設(shè)、資源共享、項目合作、人員交流等方面開展合作；與俄羅斯、法國、美國、德國等國外數(shù)家知名研究機構(gòu)達成戰(zhàn)略合作意向，凝聚全球人才及技術(shù)資源。國家信息光電子創(chuàng)新中心將匯聚行業(yè)優(yōu)勢創(chuàng)新資源，圍繞高速光芯片、硅光芯片、量子芯片、集成芯片四個方向，聚焦面向新一代網(wǎng)絡(luò)、數(shù)據(jù)中心光互聯(lián)、5G等信息光電子應(yīng)用領(lǐng)域，在高端材料生長、核心芯片工藝、先進封裝集成等方面突破關(guān)鍵技術(shù)和共性技術(shù)瓶頸。力爭通過3-5年建設(shè)，建成國際一流信息光電子制造業(yè)創(chuàng)新平臺，核心光電子芯片和器件行業(yè)供給率顯著提升；力爭到2025年，實現(xiàn)核心光電子芯片和器件自主可控。
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